中华涉外网--日出台下一代半导体技术研发计划

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日出台下一代半导体技术研发计划
2001-10-17 08:42:30

最近日本发表了关于半导体MIRAI计划的概况。该计划将历经7年，研发两大类技术。其一是对下一代半导体技术不可缺少的绝缘材料技术，其二是将这种绝缘材料技术转化为实用的技术。
研发计划的实施被分成前后两个阶段。前3年为第一个阶段。经过3年的努力构筑一个严格、科学的综合型研发体系。在前3年内以面向产业的实用技术为重点。
MIRAI从科学的观点出发，以基础性技术研发为重点，一方面进行微细化技术的研发，同时下工夫解决由于半导体的绝缘膜的延迟电流增大而引发的耗电增大，以及因布线延迟而导致处理速度的恶化的问题。
研发机构将根据前3年研发的进度和成果，修正并确定出后4年的研发计划。(来源：中国电子报)

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